RAMDisk Speed UP Your Desktop

2020-05-22 浏览量: 351

记忆体

  • RAMDisk Speed UP Your Desktop ! 传统硬碟也能体验SSD的极速快感!

    RAMDisk Speed UP Your Desktop

    本期延续上一期特企之主题,有鉴于记忆体模组的平价化,单条4GB记忆体模组已成为今日装机之採购主流。许多朋友的电脑系统即使装满16GB记忆体模组,但实际上或许闲置过半资源,稍显可惜;更遑论部份狂热玩家在新一代

    X79平台上插满了64GB记忆体模组,效能强大却无用武之地。因此,RAMDisk的建置与应用,为本期主要探讨之焦点。另一方面,不同的超频记忆体之间,效能孰优孰劣,亦为许多资深玩家之间讨论的话题;超频记忆体模组上参数的解读,一直是许多玩家心中扑朔懵懂之谜。本期让你一次搞懂,诸如︰CL = 9–9–9–24数值之实际意义。此外,如何在售价与性能之间取得一个绝佳的平衡点,则是本期当中,特别为消费者撰写的专题;相信有了主流超频记忆体模组的实测评比,此后让你在挑选购买上再也不求人,功力威过威士忌。

    ■ 认清规格 谋定而后动

    当我们为心爱的电脑平台採购零件时,记忆体通常是影响效能的重要关键之一。许人并不知道,当你实际到电脑商场进行零组件採购时,有些比较油条的业务销售人员,往往会由你的言谈举止及零组件的挑选情况,来判断选购者的功力深厚与否;若被当成菜鸟新手,买到较贵的价格往往还算小事,最怕被劝败性价比极低、或是即将改朝换代的旧货色(行话︰清库存),最后在效能与稳定性上,也就差强人意、不如预期。

    其中,记忆体的採购情况也是业务销售人员判断消费者程度高低的依据之一,而如何在採购时展现你的专业风采呢?在记忆体挑选上,最基本也最重要的就是挑选一家口碑良好、用心监督生产过程、作工严谨、售后服务完善的品牌,来作为电脑平台中高速可靠的一份子。其次,认清您即将组装或昇级的平台为何?到底该买DDR2或是DDR3?小机壳是否只能装窄版记忆体?谋定而后动,才不会闹出买DDR3硬上DDR2、防呆不防蠢的笑话。

    此外,部份晶片组对单 / 双面记忆体(SIMM / DIMM DRAM)的支援度略有不同,以近期对应Sandy Bridge的Intel H61晶片组来看,最多只能安装两条记忆体;就算是少数有四条记忆体插槽的H61主机板,也只能安装4条「单面」SIMM记忆体。这部份在上一期的杂誌中有详尽的介绍,若想深知记忆体理论面的读者不妨多加翻阅。

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    图 / Intel 日前发表的X79平台,能够支援八条8GB记忆体模组,最高合计64GB容量。

    对于VMWare Workstation来说,绝对是极为有力的最佳后援。

    ■ 超频记忆体 强化平台性能

    以现行主流的DDR3记忆体来看,主要的技术规格,不外乎是容量大小与工作频率。以近年来DRAM价格三级跳的情况来看,一次买两条2GB记忆体、跑4GB双通道;或是直上单条4GB记忆体,已经是最入门的要求。倘若有游戏需求,一次攻上两条4GB记忆体、跑8GB双通道,运行起来更是让人得心应手、有行云流水的快感;对于金字塔顶端的玩家来说,近日已有厂商发布单条8GB大容量记忆体,让你一次攻顶DDR3的单条容量规格上限。

    对于预算充裕的朋友来说,不妨试试利用顶级X79主机板,共计八组记忆体模组插槽的特性,一次直上八条8GB记忆体,接着组建接下来文末介绍的RAMDisk,享受宛如高速SSD的极速快感,不再受硬碟传输瓶颈之肘制。

    另一方面,记忆体的工作频率影响平台效能究竟如何?根据JEDEC固态技术协会提供的公式︰「记忆体工作频宽 = 记忆体汇排流宽度(资料输出的宽度)× 记忆体工作频率」。我们可以发现,在平台晶片组支援的情况下,举DDR3 2133超频记忆体与常见的DDR3 1333记忆体为比较範例;在理论上,前者的效能将是后者1.6倍,可见记忆体的工作频率影响平台效能不可谓不鉅!

    当然,在实际运作上由于平台上有诸多瓶颈,而使得实际表现并不会有1.6倍如此悬殊的落差,但是对于整机效能的进步则是非常明显的;尤其当高阶玩家的主机板、处理器、显示卡都往上攻顶时,此时往往只要略加一点点的预算,挑选一对品质精良超频记忆体,就可以让游戏每秒张数又多搾出好几张。特别是对部份每秒张数区间落在30张或是接近60张的玩家来说,只要昇级超频记忆体,就能够得到稳定的每秒30张显示效果、或是每秒60张的优异表现。对于当昇级显卡时,又得昇级大瓦数电源供应器的朋友来说,昇级超频记忆体可说对于游戏流畅表现不无小补、物超所值。

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    图 / 记忆体大多会将其重要参数,记载于本体上,购买前可事先端详一番再出手购买。

    ■ 完全搞懂记忆体四大参数

    一般来说,在世界各地举办的超频大赛中,除了随处可见的冷却用液态氮之外,体质一流的中央处理器、耐操有挡头的主机板也常是与会常客,而另一个低调的致胜关键,当然就是负责大流量资料传输的记忆体模组。

    因此,超频玩家通常要求记忆体在时脉规格的挑选上,必定要一马当先、领先群伦;凭藉着精心收藏的超频记忆体,找出最佳的CUP外频时脉与记忆体时脉相互搭配,接着观查系统平台稳定度,最后尝试调紧记忆体参数,以搾乾记忆体最后一滴效能,冀求在超频大赛中脱颖而出。

    而经过厂商特挑颗粒甚至是客製化模组,在记忆体CL参数值经常有别于一般平价记忆体,表现上通常更是可圈可点。

    也因此,憨人胖达不只一次被问到︰「我在选购记忆体时,包装上面都会标明CL = 9–9–9–24,这到底是什幺意思呀?」这个问题,在读者回函中,更是屡见不鲜的常客;追根究柢,只能说这真是一个大哉问!如果真得要彻底完全搞懂,非得具备电子学与线性代数的基础不可,因此憨人试以浅白的方式略述一二,希望读者能够对记忆体参数稍具概念,如此则为笔者之幸甚!

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    图 / X.M.P是英特尔推出的懒人超频方案,利用记忆体SPD176~254之地址规划出X.M.P架构,

    最多可支援两组profiles。

    ■ 行位置延迟时间 CAS Latency(tCL)

    首先,举我们在DDR3记忆体中常见的CL = 9–9–9–24为例,事实上完全对应某些高阶主机板BIOS设定中的tCL –tRCD–tRP–tRAS。记忆体四大参数的首项为CAS Latency,通常缩写为CL。

    CAS在这里绝对跟电宰猪肉没有关係!CAS为Column Adress Strobe之缩写,意即「行位址控制器」;Latency这个单字在计算机概论(Computer Science)中很常见,专指两笔资料或两个元件之间传递资料的延迟时间;因此,CAS Latency(CL)意指记忆体存取资料所需的延迟时间,表示电脑自主记忆体读取第一笔资料时,所需準备时间的外部时脉数量(System Clock)。

    一言概之,CAS Latency也就是记忆体接收到中央处理器输出指令后的反应速度。因此,理所当然,CL值数字越小,也就代表反应时间越短、效能越佳。记忆体四大参数中影响效能最重的一项当属CAS Latency,因此在记忆体包装上, JEDEC固态技术协会即规範以记CL = tCL –tRCD–tRP–tRAS,来作为记忆体的四大参数规格。以今天来看,记忆体容量大小与时脉高低对平台效能的影响最为关键;而四大参数则对于极限超频玩家来说,则是另一门博大精深的调校课题,在文末单品介绍中,会有简单调校教学。倘若有缘,胖达日后将择期另闢一篇记忆体极限调校超频,教导读者如何调整CL参数值来逼出记忆体最强性能,以飨各位支持电脑DIY的玩家们,敬请密切期待!

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    图 / 华硕ROG玩家共和国系列主机板,对于记忆体众参数的调校可说心法独到、自树一格。

    ■ 列位置至行位置之延迟时间 RAS to CAS Delay(tRCD)

    四大参数中的第二项,为RAS to CAS Delay(tRCD),相信已经有部份聪明的读者猜出t为time的缩写,而RAS即为Row Adress Strobe(行位址控制器)之缩写。由字面来看就可以明白了解到,此为︰列控制器至行控制器之传输延迟。
     

    由于DDR RAM的资料伫存方式,是以一列为单位加以储存,当发生不够放或是放满的情况,就会进行换列的动作。也就是说,记忆体控制器会先送出列位址(Row Adress),像是先指定第8列,等到RAM收到列位置之后,经过一段时间,才会再传送行位址(Column)。而这一段时间就是所谓的RAS to CAS Delay;若以术语来说,意即以资料矩阵的方式存取运作。

    因此,位置存取传送常常是像(第8列,第5行)→(第8列,第6行)→(第8列,第7行)的方式进行,也就是(N,K)→(N,K+1)这种类迴圈方式运作。简单来说,当列被定址后,就只有行在换址;再换句话说,也就是一直在运行RAS to CAS Delay(Trcd),最后等到行定址后,一切尘埃落定。此时记忆体开始存取下一笔资料,而所需的準备时间,就是上一段我们提到的CL参数值,是故在记忆体四大参数中,除了CAS Latency之外,影响效能排名第二的当属RAS to CAS Delay。

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    图 / 若系统平台所用之记忆体不支援X.M.P架构,还是可以手动超频,反覆测试记忆体稳定运作频率。

    ■ 自我预先充电时间 Row Precharge Time(tRP)

    记忆体四大参数中的第三项,即为Row Precharge Time(tRP),或称Self-Refresh(自我预先充电时间)。由上期杂誌的记忆体专题特企中,我们知道DRAM内部具有独立内建的充电电路,并于一定时间内实施自我充电之工作,以保持稳定运行之所需;否则记忆体容易传送错误资料、或是常有不稳定的情况发生。

    通常在笔记型电脑或其他可携式行动装置等,对于省电需求较高的平台,对于这项参数会有比较高的要求。理所当然,Row Precharge Time也是越短越好,但这一切端看颗粒体质,千挑万选才能找到几颗「回血速度」极快的好货,因此超频记忆体成本高,售价相对不蜚,也自有其道理所在。

    一般来说,连双胞胎都会打架,同理很难找到体质雷同的颗粒,进行高负载的参数值稳定运行。不过近年来极为流行Kit包,也就是厂商预先帮你挑好同一批颗粒、同一批製程,通过品管测试后的记忆体;由于彼此体质相近,因此以一包两只的同捆方式搭售,在相容性与调校便利度方面可说是高人一等,省去了玩家额外费心劳神比较挑选记忆体颗粒的麻烦,更让玩家在参数稳定度上更胜一筹。

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    图 / 各厂牌高阶主机板,都会有类似「极限超频」选项提供使用,开启后通常对于各种跑分测试软体

    ,都能得到令人满意的佳绩;但另一方面,系统也可能呈现较为不稳定的情况。

    ■ 记忆体最短再作动时间 Min RAS active time(tRAS)

    记忆体四大参数中的第四项,即为Min RAS Active Time(tRAS),或称RAM Active Timing(记忆体再作动时间)。如果要了解这项参数所代表的相关意义,憨人不得不提到记忆体当中BANK的观念。首先,早期传统记忆体为了保障中央处理器的正常运作,必需将每单位存取周期内所需要的资料,一次予以传输完毕。此时记忆体必需组成P-Bank与中央处理器打交道;而为了组成P-Bank所需的频宽,就需要多颗晶片组成64Bit传输运作。举例来说,对使用16Bit晶片,则需要四颗加以组成(16bit × 4 = 64bit);而若使用8Bit晶片,则需要八颗加以建构(8bit × 8 = 64bit)。

    我们再深入前文中所谈到的记忆体矩阵传输,其实就是所谓的逻辑BANK(Logical Bank)。由于DDR RAM是基于早期SD RAM演化而来,因此也是SD RAM的一种,当然也保有了SD RAM的储存特性。而SD RAM即是以存取矩阵的方式进行资料沟通,读者们可以将存取矩阵想像成由行与列构成的五子棋盘,中央处理器再将资料数据丢进棋盘格里,而若只有单一的逻辑BANK将会造成严重的寻址冲突,大幅降低记忆体工作效率,所以我们会在内部划分为多个L-BANK以利作业流畅。

    另一方面,我们知道晶片的容量主要由三个参数组成,举个例子︰128Mbit=2M x 16Bit x 4 Banks,第一个数字是行列相乘的矩阵单元数目,第二个数字是逻辑BANK位元数,第三个当然就是逻辑BANK数量,而容量大小即为这三个数字相乘之后的结果。绕了这幺多,憨人只是想让你了解到一点,那就是︰「记忆体晶片容量=逻辑BANK单元格数×逻辑BANK位元数×逻辑BANK数量;其中,逻辑BANK单元格数=行数×列数。」

    所以,我们终于可以回到主题,到底什幺是RAM Active Timing呢?简单讲,就是中央处理器在某BANK找完资料之后,某BANK必需要一段时间恢复后才能再供利用,这一段的休息恢复时间,就是所谓的RAM Active Timing。调整这个参数需要参考具体情况而定,并不是说越大越好,又或是越小越杀;如果说RAM Active Timing的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能;另一方面,降低RAM Active Timing周期,则可能因为缺乏足够的反应时间,而无法完成资料的突发传输,如此一来将引起资料的遗失或是损毁。因此,超频界中有一个着名的设定公式︰tRAS=CAS latency + tRCD + 2个时脉周期。
     

    DDR1

    DDR2

    DDR3

    电压 VDD/VDDQ

    2.5V/2.5V

    1.8V/1.8V
    (+/-0.1)

    1.5V/1.5V
    (+/-0.075)

    I/O接口

    SSTL_25

    SSTL_18

    SSTL_15

    资料传输率(Mbps)

    200~400

    400~800

    800~2000

    容量标準

    64M~1G

    256M~4G

    512M~8G

    Memory Latency(ns)

    15~20

    10~20

    10~15

    CL值

    1.5/2/2.5/3

    3/4/5/6

    5/6/7/8

    预取缓冲(Bit)

    2

    4

    8

    逻辑Bank数量

    2/4

    4/8

    8/16

    Burst Length

    2/4/8

    4/8

    8

    封装方式

    TSOP

    FBGA

    FBGA

    脚位标準

    184Pin DIMM

    240Pin DIMM

    240Pin DIMM

    图 / 本表为DDR记忆体标準规範,但为了追求效能,

    不按牌理出牌的厂商亦所在多有。 


     

    ■ 主机板设计精良有助于记忆体火力全开

    在憨人胖达简介记忆体的四大参数之后,相信一定有许多追求效能的DIY玩家想了解怎幺将家里的记忆体Tune(调校)到最佳工作状态。在这方面,往往不单只是记忆体本身体质要好的问题,同时CPU的体质、供电系统的稳定性,以及主机板的设计好坏等,都关键性地决定了是否能够将记忆体的战斗力完全予以发挥。

    以文末记忆体横向评测的平台来说,採用海韵近期推出的巅峰之作Platinum-1000W模组化电源供应器,提供了最为纯净洁美的电力;另一方面,主机板则挑选华硕ROG共和国中的精巧利刃MAXIMUS IV GENE-Z,内建名闻遐迩的Go Button键,可预先在主机板BIOS存入参数设定,需要反覆测试极限时,只要按下Go Button,就可以直接Load该笔设定,减少浪费开关机下重新设定的时间;同时配合华硕AI SuiteII软体中的DIGI+VRM;并仰仗MAXIMUS IV GENE-Z精湛的布线与一流的用料,能够帮助玩家将超频记忆体的潜能火力全开,因此胖达本次也用以建置为测试平台主力,将每一组记忆体的极限完全发挥,供读者参考。

    另一方面,由于现行主流装机平台,记忆体配置已经走到4GB×2大容量境界,笔电里面内建4GB或是8GB记忆体亦司空见惯、所在多有;许多朋友往往没能妥善利用,放着闲置浪费,可说极为可惜,因此憨人在此介绍一套RAMDisk软体,将你平台上部份记忆体,转换成硬碟空间,予以高速存取,对于即使只有文书处理或是上网浏览的朋友来说,也一定能够感受到高速记忆体为系统平台所带来的效能进步。

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    图 / 华硕ROG玩家共和国系列主机版内建Go Button键,对于记忆体超频来说非常方便!

    ■ RAMDisk+ReadyBoost = System TurboBoost!

    市面上RAMDisk相关软体为数不少,每套都各自有其优缺点。其实,将速度较快的记忆体当做一般磁碟储存空间,这样的做法早在1980年代就已经出现;第一套提供类似RAMDisk功能的软体,是由MicroComputers所推出的Silicon Disk System,而且苹果电脑也1991年于自家的麦金塔作业系统内加入了这项技术。直到今日,不论在Windows、Mac OS,或Linux与Unix等作业系统上,都可发现记忆体虚拟磁碟的相关技术应用。

    而另外一个福音则是Windows在Vista作业系统之后,皆内建了一个ReadyBoost功能,微软最初的发想是以USB随身碟等外接装置,利用存取速度比传统硬碟还快的特性,作为主记忆体不足时的预取缓冲,让使用上有比较流畅的感觉。不过,要提醒读者得是,如果您已经将作业系统载入SSD固态硬碟,以作为平常使用,则Windows将会判断您不需要再依靠ReadyBoost加速,而将此功能予以关闭喔!

    由于大多数使用者对于RAMDisk在作业系统的体验感受,大多持正面态度;加上记忆体平价化造成大容量记忆体平台的普及,因此近来更有传言指出,微软下一代作业系统Windows 8极有可能会直接整合RAMDisk的功能,将之涵括其中。届时,究竟会不会给消费者带来新的惊奇?就让我们拭目以待!

    现在,胖达在此推荐一套性能强悍,同时又提供众人免费使用的软体Dataram RAMDisk,能够帮助使用者将记忆体模拟成一台虚拟磁碟机;同时配合Vista及Windows 7内建的ReadyBoost,比起USB介面的传输速度,更能加快电脑的反应效率,流畅感宛如几何倍数成长、同时减少硬碟的存取次数,常保硬碟寿命。尤其对于文书作业、浏览上网的朋友来说,不必再辛苦指定分页档到RAMDisk上,也能享受行云流水的体验效果喔!以下,就跟着图说一步接着一步作,马上就能提昇你的电脑效能。

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    图 / 首先,先确认系统平台内的磁碟区有几个,待RAMDisk建置成功后,会多出一颗磁碟机让我们使用。

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    图 / 接着,我们到DataRam官网下载最新版的DataRam RAMDisk,直接下载网址是

    http://tinyurl.com/6rsf2xz,下载完毕后直接进行安装。

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    图 / 一直按下一步后安装完毕后,在程式集中找到DataRAM RAMDisk图标来点击并执行,会跳出一个

    未设定过的初始画面。一般来说,如果你装8GB实体记忆体,DataRAM最多会让你割出4GB来当虚拟

    高速磁碟机;如果你装4GB实体记忆体,DataRAM最多会让你割出2GB来当虚拟高速磁碟机,也就是

    最多允许一半的实体记忆体作为虚拟高速磁碟机之用。

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    图 / 胖达在此示範割2GB实体记忆体,以作为虚拟高速磁碟机之用。

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    图 / 接着将设定画面切换至"Load and Save"分页,如果想预先决定RAMDisk磁碟标籤,可以勾选

    Disk Label对话方块并输入你喜欢的名称;软体预设名称是RAMDisk。接着勾选Save Disk Image
    On Shutdown,并设定选取关机时储存于记忆体中的资料存放,同时指定储存的档案位置所在。

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    图 / 一切设定完成后,按下Start RAMDisk键钮,初次使用会跳出Windows安全性视窗,勾选对话方块

    中的信任选项并安装,以利于下一步的进行。

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    图 / 初次建置RAMDisk会跳出本选项,请按确定。如此才会在关机时,将你在记忆体中的档案予以备份。

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    图 / 建置完成后,你会发现多出一颗虚拟磁碟机,这就是由我们割出来的记忆体所建构出来的超高速虚

    拟硬碟。以滑鼠右键点选该颗磁碟,并点选内容,则会跳出该磁碟机的详细资讯;接着,我们把目光

    放到内容选单中,左上角有一个ReadyBoost分页。

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    图 / 在ReadyBoost分页中,我们选择「这个装置只用于ReadyBoost(D)」

    ,接着按「套用(A)」、「确定」以作为硬碟存取资料时的快取之用。由于

    记忆体的效率远高于USB理论传输上限,因此以RAMDisk来作为缓冲快取,

    较USB随身碟来得更加流畅许多。

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    图 / 最后,进入RAMDisk磁碟机里观看,是否有ReadyBoost这个快取档案?如果有得话则表示一切设

    定大功告成!不过每次重新开机后得重新设定一次ReadyBoost(但RAMDisk并不需要再重新设定)。

    所幸只需一个步骤,但提醒读者可别忘记了呦!

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    图 / 如果你使用SSD固态硬碟,却要以建置的RAMDisk作ReadyBoost

    加速时,Windows会出现这个画面告诉你无法适用。

    ■ MemOK !

    行文至此,相信大部份的读者会建立起一个更加稳定快速的系统平台。然而,憨人相信,一定也会有部份朋友,遇到Windows出现以下类似错误讯息︰「记忆体不能为Read或Written」、「"0x65676e61"指令参考的"0x00000000"记忆体。该记忆体不能为"written"。」而此时要如何釐清究竟是作业系统的问题,或是记忆体的问题呢?华硕主机板上的「MemOK!」功能可以帮助我们判断到底记忆体是不是真得出了毛病。

    MemOK!是华硕主机板上的一个功能键,按钮旁则配置一个DRAM_LED指示灯,其主要目的是用以解决记忆体不相容、或是由记忆体本身所引起无法开机的状况。在玩家按下系统电源开关,却无法顺利开机时,不需要再将主机板上已经安装好的元件先后拔起进行交叉测试,也能判断问题到底是否出在记忆体上。此时,只要主机板上的DRAM_LED指示灯号持续发亮时,就可以判断是记忆体元件出了问题,排除其他可疑因素。

    当确定问题的根源出自于记忆体后,玩家只需要按住MemOK!按键大约五秒钟,随即发现DRAM_LED指示灯将会开始闪烁,此时主机板会自行智慧调节,将记忆体相容性调整至适当状态,成功后即能顺利开机进入系统,让你省下不少检测的时间,弹指间轻鬆解决因记忆体不相容而无法开机的厄梦。除此之外,如果玩家是在BIOS中超频,而导致开机失败时,也只需按一下MemOK!按键,即可回复BIOS预设值,既而顺利开机。另一方面,即便是记忆体没有正确的安装在主机板上时,DRAM_LED指示灯号也会提示用户进行正确安装。

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    图 / 华硕较新的主机板上,常常可见MemOK!按键。帮助玩家高效率Debug记忆体相关的疑难杂症。
     

    ■ 8GB Kit X.M.P.同捆包 横向评测大阅兵

    如果读者顺利以笔者所介绍的方式,建置完「系统加速方案」之后,相信你无论在上网浏览、文书处理,或是畅享部份游戏,都能得到让你更加满意的效果。对于嫌SSD固态硬碟价格高昂、可远观而不可亵玩的朋友来说,昇级优质大容量高速记忆体,配合本期特企所介绍的方法,让你一举多得;不但让你的系统运作更加充裕,同时可以改善传统硬碟效能频颈。俗话说︰「吃得巧也要吃得饱」,花小钱省大钱,真是何乐而不为?而胖达相信,一定有许多朋友已经跃跃欲试,等着把过年时收到得大红包,抽几张来昇级强化系统平台效能。

    那幺,到底哪些记忆体拿来当RAMDisk加速会比较快、比较猛、比较杀呢?不用担心!憨人虽憨,但心却很细。在这次跟记忆体横向大评测中,选用了各大厂所推出的8GB Kit X.M.P.记忆体模组,一併以Atto及CrystalDiskMark两套软体,分别测试了各品牌记忆体所建置出来的RAMDisk,并附上详细数据。读者不妨带着本杂誌,到各大电脑商场进行选购比价;让心爱的电脑焕然一新,为新春带来新气象,迎接美好的开工大吉。
     

    电脑DIY记忆体大阅兵测试平台

    处理器

    Intel Core i7-2600k @3.40GHz

    主机板

    ASUS MAXIMUS IV GENE-Z

    显示卡

    MSI Radeon HD R6850

    记忆体

    各品牌DDR3 8GB X.M.P. Kit包(4GB ×2)

    系统硬碟

    Kingston SSDNow V+ 64GB

    电源供应器

    Seasonic Platinum-1000W

    作业系统

    Windows 7 Ultimate SP1 64bit

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